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IXTA4N80P
IXTP4N80P
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4
Fig. 7. Transconductance
T J = - 40oC
T J = 25oC
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9
8
7
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Fig. 8. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
3
2
T J = 125oC
5
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T J = 125oC
1
0
2
1
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T J = 25oC
0
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2.5
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4.5
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0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
10
I D - Amperes
Fig. 9. Gate Charge
10,000
V SD - Volts
Fig. 10. Capacitance
9
V DS = 400V
f = 1 MHz
8
I D = 1.8A
I G = 10mA
1,000
C iss
7
6
5
4
3
2
1
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100
10
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C oss
C rss
0
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6
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0
5
10
15
20
25
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40
Q G - NanoCoulombs
V DS - Volts
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
10.00
1.00
0.10
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions. - Seconds
Pulse W idth
IXYS REF: T_4N80P (3J) 10-23-06.xls
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